4 月 1 日消息,三星电子 DS 部门负责人庆桂显近日在社交媒体上表示三星内部正采取双轨 AI 半导体策略,同步提高在 AI 用存储芯片和 AI 算力芯片领域的竞争力。
在 AI 用存储芯片部分,三星组建了由 DRAM 产品与技术负责人 Hwang Sang-joon 领导 HBM 内存产能与质量提升团队,这是其今年建立的第二个 HBM 专门团队。
三星近期在 HBM 内存上进行了大规模的人才投入,旨在赢回因策略失误而被 SK 海力士拿下的 HBM 内存市场领军地位:2019 年,三星因对未来市场的错误预测,解散了当时的 HBM 研发团队。
此外,庆桂显还表示,多家客户有意与三星电子合作开发定制版的下一代 HBM4 内存。
在 AI 算力芯片部分,庆桂显称客户对于 AI 推理芯片 Mach-1 的兴趣正在增长,并有部分客户表达了将 Mach 系列芯片应用于超 1000B 参数大模型推理的期望,因此三星电子将加速下代 Mach-2 芯片的开发。
Mach-1 芯片是一种高能效的 AI 推理芯片,计划于今年末明年初投入应用,韩国 IT 巨头 Naver 考虑大批量购入,交易金额有望达 1 万亿韩元(IT之家备注:当前约 53.7 亿元人民币)。
此外在制程工艺部分,这位 DS 部门负责人表示,三星 2nm GAA 工艺在功耗和性能部分拥有优势,适合 AI 应用,因此已吸引了多家客户在该节点上进行测试芯片的开发。
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