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X-FAB最新的无源器件集成技术被认为具备改变整个行业游戏规则的能力

发布日期:2023-12-18     196 次

  北京,2023年9月14日——在模拟/混合信号领域享有盛誉的全球领先晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日公布,已成功拓展并新增集成无源器件(IPD)制造能力,这无疑进一步提升了其射频(RF)业务的广泛实力。在即将举行的欧洲微波展(9月17日至22日,德国柏林)开幕之前,X-FAB正式发布了这一创新产品XIPD工艺。届时,参加展会的人员将有机会与X-FAB的技术团队(展位号:438C)就这项创新进行深入交流。

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  X-FAB XIPD晶圆上的电感器测试结构

  

XIPD技术基于广受欢迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺,利用工程基底和厚铜金属化层,使客户能够在其器件设计中直接集成无源元件(电感器、电容器和电阻器),从而显著节省空间及成本。该技术将由位于法国科尔贝—埃索讷的X-FAB工厂进行生产。

随着5G蜂窝基础设施的推出、6G通信的发展以及新一代雷达和卫星通信技术的出现,对能够支持更宽频率的器件的需求不断增加。基于XIPD平台,可以制造出具有更高性能特征的全集成高质量无源元件,以满足客户对更紧凑RF/EMI滤波器、匹配网络、平衡器和耦合器的需求。

由于使用表面贴装或分立无源元件可能会因元件在高频率下的偏差或元件采购复杂性的增加而带来不便,XIPD提供了一种更为有效的解决方案,可以简化整体系统设计、加快开发周期、简化制造过程,并降低相关工程费用。此外,XIPD还可以适应从sub—6GHz频段一直到毫米波高频段的广泛频率范围。

X-FAB技术的独特之处在于可以为任何批量的集成无源器件制造提供代工服务。我们推出全面的工艺设计套件(PDK),同时支持Cadence和Keysight ADS设计环境,使客户能够进行完整RF子系统的精确仿真,并获得首次成功(first-time-right)设计。目前,与几家主要客户的初步原型设计已经开始。

尽管RF半导体器件不断缩小,但与之配套的无源元件仍相对较大。这种尺寸不匹配占用了过多的电路板面积,并不符合对更时尚电子设备的需求。通过采用我们的XIPD技术,不仅可以节省多个数量级的空间,还可以降低相关成本。这对于我们的客户群而言,有可能真正改变行业的游戏规则,允许有源和无源芯片共同封装,同时实现高产量。

此外,目前基于声学技术的滤波解决方案无法实现毫米波频率工作,难以满足下一代通信标准的要求。我们的XIPD解决方案使客户能够实现紧凑的RF系统设计,并通过完全集成的硬件最大限度地减少损耗,从而为市场创造价值。我们已经在开展70—80GHz频段的工作项目,而使用分立式无源方案是无法想象的。


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