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SK 海力士回应“拟投资40亿美元在美建芯片封装厂”

发布日期:2024-03-27     148 次

3 月 27 日消息,《华尔街日报》昨日称,SK 海力士计划投资约 40 亿美元(当前约 289.2 亿元人民币)在美国印第安纳州西拉斐特建造一座先进芯片封装厂,并计划于 2028 年投产。

对此,SK 海力士在一份声明中表示,公司正审查其在美国投资先进芯片封装的计划,但尚未作出决定。

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知情人士对《华尔街日报》透露,SK 海力士董事会预计很快就会批准这一决定,此举将推动美国政府恢复美国半导体大国地位的雄心,预计将创造约 800~1000 个新工作岗位。

公开资料显示,SK 海力士的工厂毗邻普渡大学,普渡大学是美国最大的半导体和微电子工程项目之一的所在地。

消息人士称,SK 海力士还曾考虑过亚利桑那州,例如台积电和英特尔都在该州设立了工厂,但考虑到能够通过普渡大学获得工程师人才库的优势,SK 海力士最终选择了印第安纳州。


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