GaN Systems为瑞萨提供氮化镓,用于48V/12V双向DC/DC转换器

发布日期:2024-04-28     44 次

GaN Systems 日前宣布,瑞萨电子公司的新型汽车 48V/12V 双向 DC/DC 转换器由 GaN Systems提供功率晶体管,从而显着提高了功率密度。 新的转换器采用 GaN Systems 的 GS61008P(一款 100V 增强型硅基 GaN 功率晶体管),实现系统尺寸减小 46%。

瑞萨电子的解决方案针对需要高效率 48V/12V DC/DC 转换器的 48V 轻度混合动力汽车和电动摩托。 GaN 可实现高开关频率和高效率,这意味着更小的磁性元件和更小的尺寸。 与使用 Si-MOSFET 相比,GaN Systems 的 GaN HEMT 可以将 PCB 面积缩小 50%。

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新转换器的优点如下四点:


利用 GaN Systems出色的晶体管开关能力,PCB 面积减少了 46%,从而实现了开关频率高达 500kHz 的高效电源转换器。 这允许使用非常小的 1.3μH 电感器,从而显着减小尺寸和重量。

在广泛的负载范围内具有高效率。GaN与自动降相功能相结合,即使在低负载下也能实现高效功率转换,在400W至3kW的宽负载范围内功率效率超过94%。

ISL78226 PWM 控制器无需开发复杂的 DC/DC 转换器控制软件。

半桥驱动器 ISL78420/444 提供了一种简单且经济高效的驱动 GaN 晶体管的方法。

GaN 首席执行官 Jim Witham 表示:“汽车行业的客户不断寻求功率密度和成本的改进,这种设计再次反映出 GaN 以更小、更高效且更具成本效益的设计显着提高了功率密度。该设计来自瑞萨电子这一事实意义重大,因为他们是汽车半导体解决方案的市场领导者,在了解行业需求方面享有盛誉。 这是将 GaN 技术的优势带给该客户群的重要一步。”

虽然 GaN 在消费电子等行业具有巨大的吸引力,但 GaN 也正在成为混合动力和电动汽车中功率转换和电池充电的首选技术。 GaN 以极低的成本提供比硅和碳化硅更高的性能,从而能够经济高效地减轻各种电动汽车的重量并提高其效率。

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