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英特尔High NA EUV光刻机有望在三代节点沿用

发布日期:2024-04-23     50 次

4 月 22 日消息,英特尔近日宣布完成世界首台商用 High NA EUV 光刻机的安装。

而在上周的一场电话会议上,英特尔院士马克・菲利普斯(Mark Phillips)表示这台耗资约 3.5 亿美元(当前约 25.38 亿元人民币)的庞然大物年内就将启用。

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菲利普斯是英特尔代工旗下逻辑技术开发部门的光刻、硬件和解决方案主管。他表示英特尔将于今年晚些时候将 High NA EUV 光刻机投入制程开发工作。

英特尔将在 18A 尺度的概念验证节点上对 High NA EUV 和传统 0.33NA EUV 光刻的混合使用进行测试,并在之后的 14A 节点上进入商业化量产阶段。

菲利普斯预测 High NA EUV 光刻机至少可在三代的未来节点上沿用,从而将光刻技术的名义尺度突破到 1nm 以下量级。

关于未来光刻技术发展,菲利普斯认为将光线波长进一步缩短至 6.7nm 会引入大量新的问题,包括明显更大的光学组件;在他眼中,更高的数值孔径(Hyper NA)是可能的技术方向。

对于 High NA EUV 光刻带来的单芯片理论最大面积减小问题,菲利普斯表示英特尔正同 EDA 企业一道就芯片“缝合”技术进行开发,以方便设计师使用。


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